RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
41
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2438
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link