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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
83
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
83
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
1774
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
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