RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
41
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3126
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link