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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2553
2795
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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