RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Compara
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
33
Velocidad de lectura, GB/s
19.8
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3364
2795
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link