RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Compara
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
55
En -67% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
55
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2612
2987
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link