RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Compara
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Puntuación global
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,001.3
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
58
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,796.5
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,001.3
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
768
3559
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link