RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Compara
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Puntuación global
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,001.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
58
En -142% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,796.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,001.3
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
768
2534
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link