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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Compara
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Puntuación global
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
58
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
2,001.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,796.5
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,001.3
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
768
2271
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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