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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Compara
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Puntuación global
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
65
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
35
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
985
2731
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
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