RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Compara
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Puntuación global
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
94
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.4
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
94
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
985
1390
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link