Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Puntuación global
star star star star star
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    35 left arrow 65
    En -86% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.2 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.4 left arrow 4.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 8500
    En 2.26 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    65 left arrow 35
  • Velocidad de lectura, GB/s
    6.1 left arrow 10.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    4.2 left arrow 7.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    985 left arrow 2124
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones