RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Compara
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
4084
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link