RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Compara
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Puntuación global
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
3694
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link