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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Compara
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
2319
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-025.A01G 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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