RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Compara
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
50
En 48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14200
En 1.35 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
50
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
14200
19200
Other
Descripción
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2558
2248
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link