RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
39
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
14200
En 1.8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
14200
25600
Other
Descripción
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2558
2782
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link