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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2087
2336
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
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