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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Compara
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
41
En -128% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.1
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2087
3529
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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