RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Compara
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Puntuación global
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
43
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3051
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link