RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Compara
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
80
En 46% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
80
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
1775
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link