RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Compara
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
43
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3220
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link