RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
122
En 80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
122
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2267
1411
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link