RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Compara
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2361
2855
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link