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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Compara
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
49
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
49
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2361
2504
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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