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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Compara
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2302
3023
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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