RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Compara
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
44
En -26% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2302
1998
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link