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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
44
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2302
3141
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PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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