RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Compara
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
32
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
32
Velocidad de lectura, GB/s
20.5
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
16.4
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3530
2370
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link