RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
38
En 53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
38
Velocidad de lectura, GB/s
20.5
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
16.4
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3530
2829
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link