RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Compara
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
38
En 53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
38
Velocidad de lectura, GB/s
20.5
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
16.4
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3530
2434
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link