RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Compara
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
39
En 54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
39
Velocidad de lectura, GB/s
20.5
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
16.4
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3530
2183
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link