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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Compara
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,479.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,226.4
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,479.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
590
3085
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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