RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Compara
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
52
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,479.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,226.4
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,479.2
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
590
2346
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link