RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Compara
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
52
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
1,479.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,226.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,479.2
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
590
2584
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link