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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
50
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
2,935.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
50
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
2326
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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