RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
45
En -45% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
31
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
3039
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K531R8-MIN 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link