RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En -73% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
26
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
2846
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link