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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
45
En -36% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
33
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
3041
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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