RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
45
En -105% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
22
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
3182
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link