RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
101
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.7
2,935.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
101
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
1382
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link