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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
45
En -22% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
37
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
2591
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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