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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
45
En -29% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
35
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
3221
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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