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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
36
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2871
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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