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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3983
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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