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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3120
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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