RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3857
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link