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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2931
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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