RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3457
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link