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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
14
26
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
26.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
14
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
26.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
19.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
4362
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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